第三届电子元器件辐射效应国际会议在渝召开

发布时间:2019-06-03 | 作者:市科协企事业部 | 编辑:科协-刘露

5月30日-31日,由市科协作为支持单位,模拟集成电路国家级重点实验室、中科院新疆理化所及哈尔滨工业大学联合主办的第三届电子元器件辐射效应国际会议(ICREED)在重庆召开,来自中国、美国、俄罗斯、日本等10余个国家的240余名代表参加会议。

第三届电子元器件辐射效应国际会议现场

会议邀请了电子元器件辐射效应领域多位国内外知名专家就材料、器件、电路及系统的空间辐照技术进行了交流探讨并做主旨和邀请报告。中国航天科技集团第九研究院科技委赵元富、中科院兰州近物所刘杰、哈尔滨工业大学李兴冀、工信部电子五所恩云飞、美国范德堡大学Ken Galloway、Dan Fleetwood,俄罗斯ISDE空间设备工程研究所Vasily Anashin,日本神户大学Takashi Uchino等国内外知名专家就硅基及第三代半导体功率器件、2D半导体材料、纳米级CMOS集成电路等在空间中的应用进行了深入交流。

会议在技术与论文交流环节,与会科技工作者就材料、器件、电路及电子系统的辐射效应,测试方法,加固技术和评估方法展开了充分交流和讨论。

会议期间,成立了ICREED会议学术委员会,中国科学院郝跃院士和刘明院士任学术委员会顾问,第四届ICREED会议将于2021年在西安举办。

本次会议的成功举办为济南市半导体行业和军工电子发展注入新鲜血液,提升了业界知名度。

市科协企事业部供稿